電工電子產(chǎn)品的低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
1） G J B 150．2A-2009《軍工裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第2部分低氣壓( 高度） 試驗(yàn)》;
2） G J B 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法105低氣壓試驗(yàn)》( 等效美軍標(biāo)M IL—STD-202F） ;
3） G J B 548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序方法1001低氣壓( 高空作業(yè)）》標(biāo)M IL—STD-883D）;
4） G B2421—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)總則》;
5）G B/T 2423．25—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法;
6） G B/T 2423，21—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M 低氣壓試驗(yàn)方法》；
7）G B2423．27—2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM D 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
8） G B/T 2423、26—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
9） G B/T 2424．15—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》。

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電工電子產(chǎn)品低氣壓試驗(yàn)的原因
由于高度的增加，大氣壓的降低，大氣密度的降低，空氣也變得稀薄。在我們考慮的高度范圍內(nèi)（低于3000米），空氣中分子的平均自由程仍然很小，大氣仍可看成是連續(xù)介質(zhì)流體，空氣的流動(dòng)特性和熱力學(xué)特性在低氣壓條件下于正常大氣條件下一樣遵循相同的物理規(guī)律，但低氣壓的情況與正常大氣相比，電工電子產(chǎn)品產(chǎn)品會(huì)受到不同的影響。

例如電工電子產(chǎn)品散熱情況于正常大氣條件不同。由此可知，低氣壓條件下，輻射散熱所占比例增大，對(duì)流散熱所占比例降低，此外由于大氣密度的降低，散熱產(chǎn)品周圍介質(zhì)條件也將發(fā)生變化。低氣壓對(duì)電工電子產(chǎn)品的影響在正常大氣條件下是無(wú)法模擬的，因此必須進(jìn)行低氣壓試驗(yàn)。

由于氣壓低，電工電子產(chǎn)品的機(jī)械和電氣性能都會(huì)受到很大影響，有時(shí)會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品的損壞。低氣壓環(huán)境條件對(duì)產(chǎn)品的影響在正常大氣條件下是無(wú)法模擬的，必須按相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)。只有這樣，產(chǎn)品質(zhì)量才能得到保證。廣東星拓設(shè)備生產(chǎn)的高空低氣壓試驗(yàn)箱可模擬電工電工電子產(chǎn)品在低氣壓、高溫、低溫或同時(shí)作用下的環(huán)境下的適應(yīng)性和可靠性試驗(yàn)，并同時(shí)對(duì)試件通電進(jìn)行電氣性能參數(shù)的測(cè)量。

為此，一定要加強(qiáng)環(huán)境條件試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)化工作，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行低氣壓測(cè)試，從電工電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)就開(kāi)始考慮環(huán)境變化對(duì)產(chǎn)品的影響，提高產(chǎn)品對(duì)環(huán)境的適應(yīng)性，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量。

電工電子產(chǎn)品之所以要進(jìn)行低氣壓測(cè)試，是因?yàn)橛捎诖髿鈮旱慕档?電工電子產(chǎn)品的機(jī)械性能和電氣性能都會(huì)受到很大影響,有時(shí)會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品的破壞。